行家说消息 9 月 14 日，Odyssey Semiconductor Technologies, Inc. (OTCQB:ODII)，一家基于专有氮化镓 (“GaN”) 处理技术开发创新高压电源开关元件的半导体设备公司，今天宣布它在垂直 GaN 功率场效应晶体管 (FET) 上达到了 1200 伏额定电压的既定目标。公司现在正在应用这项经过验证的技术在 2022 年第四季度制造产品样品，以进行内部和客户评估，计划到 2023 年第一季度进行。

今天发布了 1200 伏垂直 GaN 功率器件。有望在 2022 年第四季度构建 650 和 1200 伏功率器件的 Gen1 产品样品。经验证的 650 和 1200 伏功率器件的品质因数，将提供业界领先的效率，在高开关频率下具有极低的导通电阻，从而减小了解决方案尺寸。经过验证的大规模设备制造工艺，目前用于制造产品样品。获得三个客户评估 Gen1 产品样品的承诺。正在扩大客户参与度，以确认更多客户的产品样品。

“Odyssey 实现 1200 伏垂直 GaN 功率器件这一里程碑的重要性怎么强调都不为过，”Odyssey 首席执行官 Mark Davidson 说。“我们正在从工艺和材料研发中脱颖而出，以提供横向 GaN 几乎无法达到的电压产品，而经济性硅和碳化硅无法达到。我们的垂直 GaN 产品将提供比碳化硅晶体管小近 10 倍的高功率转换效率对于相同的应用程序。”

“我们不只是制造测试结构。我们正在制造客户需要的产品样品。随着客户对 Odyssey 功率器件的能力有了全面的了解，Odyssey 继续履行新的产品样品承诺。公司在专业知识方面处于独特的地位以及保护它的知识产权组合。通过我们在纽约伊萨卡的自己的代工厂，我们可以快速创新并控制我们向客户提供产品的能力，”戴维森总结道。

Odyssey 在向高压的高增长大趋势运动中独树一帜。到 2027 年，Odyssey 的目标市场的复合年增长率为 40%

公司所追求的市场规模庞大且增长迅速。Odyssey 的垂直 GaN 方法将提供硅、碳化硅和横向 GaN 无法提供的更大改进。650 伏是当今更大的市场，预计将以 20% 的复合年增长率增长。1200 伏产品细分市场预计将以 63% 的复合年增长率更快地增长，并将在本十年的下半叶成为更大的市场。根据收集市场统计数据的法国公司 Yole 的数据，到 2027 年，650 和 1200 伏电力设备市场预计将增长到约 50 亿美元，复合年增长率为 40%。