行家说消息 9 月 13 日，在瑞士达沃斯举行的第 19 届碳化硅及相关材料国际会议 (ICSCRM) 上，位于德国亚琛附近的 Herzogenrath 的沉积设备制造商 Aixtron SE 推出了 G10-SiC 高温化学气相沉积 (CVD) 系统，用于高在 150/200mm SiC 晶圆上量产最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件。

G10-SiC 系统建立在公司成熟的 G5 WW C 150mm 平台之上，提供 9x150mm 和 6x200mm 的灵活双晶圆尺寸配置，被认为有助于 SiC 行业从 150mm（6 英寸）过渡至 200 毫米（8 英寸）晶圆直径。

新平台是围绕该公司经过验证的自动化晶圆盒到盒装载解决方案构建的，该解决方案具有高温晶圆转移。结合高增长率工艺能力，G10-SiC 提供了据称是同类最佳的晶圆产量和每平方米产量，以有效利用半导体工厂中有限的洁净室空间。

G10-SiC 支持多种器件结构，包括单漂移层和双漂移层结构，满足严格的 150mm 均匀性要求，σ 值小于 2% 的掺杂和厚度。自动晶圆装载将颗粒缺陷的风险降至最低，导致典型缺陷计数<0.02/cm 2。

“这是真正的新一代高性能系统。新的双晶圆尺寸配置完全支持从今天的 150 毫米晶圆技术过渡，并保护我们客户对未来的投资，”爱思强 SiC 副总裁 Frank Wischmeyer 博士说。“凭借这种外形尺寸迄今为止最高的吞吐量，它最大限度地提高了工厂的生产力和提高速度的能力。同时，新开发的原位顶部晶圆温度控制 (TTC) 解决方案优化了批次内以及批次间的晶圆级工艺控制。这导致可预测的高产量，以具有竞争力的成本水平满足严格的生产规格，”他补充道。

外延层均匀性对于满足器件级的高产量至关重要。Aixtron 声称，该系统的高吞吐量，加上每个加工晶圆的低消耗成本，使每个晶圆的成本在行业中最低。

“在对我们的新 G10-SiC 系统进行评估和生产认证后，我们的合作伙伴和客户的积极反馈已经引起了更多的客户兴趣，”首席执行官兼总裁 Felix Grawert 博士指出。“G10-SiC 正在成为我们客户在全球范围内扩大生产的重要组成部分，我们致力于通过我们卓越的系统制造、服务和工艺支持来支持这种扩展，”他总结道。