行家说消息  9 月 8 日，StratEdge Corporation是射频、微波和毫米波器件高频和大功率半导体封装设计、生产和组装领域的领导者，宣布为使用金锡 (AuSn) 和金硅 (AuSi) 将氮化镓 (GaN) 和其他高频、高功率器件连接到铜钼铜 (CMC) 接头上。StratEdge 专有的共晶贴片方法最大限度地提高了芯片可以实现的功率输出，优化了其性能并提供了一种有效的散热方式，以避免在正常运行期间出现过热和故障。

StratEdge 在洁净室环境中使用最新的大批量自动化系统来执行具有背面金表面光洁度的化合物半导体器件的共晶 AuSn 芯片连接。键合机具有微米级的放置精度。焊料预成型件与管芯尺寸相匹配，可将焊料粘合线厚度降至 6µm 以下，最大限度地提高 GaN 器件的功率输出，降低结温并提高器件可靠性。对于硅器件，使用 AuSi 共晶贴片方法来创建具有出色散热性能的可靠焊点。

“CMC 上的 GaN 非常适合板载芯片 (COB) 应用，” StratEdge Corporation 总裁 Tim Going说. “当然，我们更喜欢将客户的芯片组装成 StratEdge 封装，但我们理解为什么我们的一些客户想要使用由有机材料制成的电路板。这样做的问题是有机板在暴露于共晶贴片温度时表现不佳。共晶贴片是一种高度受控的贴片工艺，可提供无空隙、高可靠性、高精度的芯片贴装。该芯片的性能得益于 CMC 散热器的卓越热特性。该芯片在安装到电路板上之前已连接到 CMC 选项卡。StratEdge 提供该服务以及定制的 CMC 标签，允许将芯片直接放置在电路板内的铜层或铜币上。”