纳微推出具有 MHz 开关功能的 GaN 半桥 IC
行家说消息 Navitas 发布了一个新的半桥 GaN 器件系列。
Navitas 发布了一个新的半桥 GaN 器件系列。
在新兴的宽带隙半导体中，GaN 是最令人兴奋的一种。也就是说，GaN 提供的器件结构具有更少的寄生效应、低 R DS(on)、固有的更快的开关速度和比其硅等效物更高的击穿电压。
然而，由于其独特的性质和速度，GaN 可能相当难以驱动和控制。正因为如此，要以最佳方式使用 GaN，通常需要专门为 GaN 开发的专用栅极驱动器 IC，包括适当的电路设计，例如电源布线、栅极环路布线和去耦。在这里，实现这种高性能的最佳方式是将栅极驱动器和 GaN FET 集成在同一个 IC 上。
“Navitas 与其他 GaN 公司的不同之处在于，我们将栅极驱动器与功率级单片集成，”Vaughan-Edmunds 说。“这不仅可以帮助您更快地切换，还可以调节和保护 GaN 上非常敏感的栅极，这存在可靠性问题。但如果你能把这个驱动器和门驱动器放在一起，那么它就完全没有了。”
然而，整合的需要并不止于此。将 GaN 驱动器和 GaN FET 集成到单个 IC 上有助于释放单器件开关应用的最大性能，但在实践中，电力电子通常依赖于多个 FET 的操作。
具体来说，双晶体管半桥拓扑是电力电子中最通用的拓扑之一，可用于电机驱动器和逆变器等应用。在这里，与其他地方一样，最高性能只能通过更高水平的集成来解锁。
Navitas 的半桥 GaN 解决方案
今天，纳微半导体通过宣布其全集成半桥 GaN IC 新系列解决了这些问题。据该公司称，该设备将此类设备从 kHz 领域移至 MHz 开关频率。
Vaughan-Edmunds 开始告诉我们“半桥是电力电子学中的一个基本模块。因此，Navitas 所做的就是将两个开关置于一个封装解决方案中，即 6x8 PQFN、低电感、行业标准封装。”
NV6247 的简化原理图。
NV6247 的简化原理图。图片由Navitas Semiconductor提供
以旗舰 NV6247为亮点的新系列据说通过将半桥集成到单个 IC 上而受益匪浅。具体来说，Navitas 告诉我们，与使用分立解决方案相比，他们能够实现更快的速度、更高的可靠性和更好的整体性能。除此之外，与分立解决方案相比，半桥的集成可以显着降低 BOM 和设计复杂性。
Vaughan-Edmunds 进一步解释了集成的好处，称半桥的集成导致所需的电路、电路、PCB、空间和组件的数量减少。
