行家说消息 9 月 7 日，与位于埃因霍温的研究机构 TNO（荷兰代尔夫特应用科学研究组织）合作，Altum RF（为商业和工业应用设计高性能射频到毫米波解决方案）推出了 400W S 波段电源放大器单片微波集成电路 (MMIC)，采用台湾桃园市化合物半导体晶圆代工厂 WIN Semiconductors Corp 的 NP45-11 技术。

该放大器工作频率为 2.8-3.3GHz，输出功率为 400W，功率附加效率 (PAE) 为 50-55%，适用于 S 波段雷达应用。WIN 的 NP45-11 工艺是一种 0.45μm 射频氮化镓碳化硅 (GaN-on-SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术，具有增强的防潮性能，可使用塑料封装。

Altum RF 与 TNO 的战略合作关系为商业市场和应用带来了据称是领先的射频到毫米波产品和技术。此次合作使 Altum RF 能够将 TNO 的一些独特技术能力商业化。

“我们期待将这种创新的 S 波段技术工业化，我们认为这是对我们产品目录的合理扩展，”Altum RF 欧洲董事总经理兼营销副总裁 Niels Kramer 说。“Altum RF 继续其战略重点，将我们的产品组合从 X 波段及其他波段扩大，”他补充道。

“基于 30 多年领先的相控阵 HPA[高功率放大器] 研究，看到这款 S 波段功率放大器使用 WIN Semiconductors 先进的 GaN 技术可以实现的出色性能令人印象深刻，我们对使用 Altum RF 将其商业化的能力同样感到兴奋，”TNO 信息和传感器系统市场总监 Kemo Agovic 评论道。“通过这种稳固的战略合作伙伴关系，我们预计未来会有更多的创新，”他补充道。

“Altum RF 和 TNO 在使用 WIN 的化合物半导体技术以实现市场领先的性能方面拥有丰富的经验，我们很高兴成为这一新产品的 RF GaN 技术合作伙伴，”WIN 技术与战略营销高级副总裁 David Danzilio 说.