行家说消息  RF Semi 5日宣布，已与加拿大GaN Systems公司签署MOU，共同开发GaN（氮化镓）功率半导体产品，扩大市场。

据该公司称，GaN Systems 在 GaN 功率半导体领域拥有技术实力。拥有650V级GaN功率半导体技术，在该领域处于世界领先地位。作为下一代功率半导体备受瞩目的GaN功率半导体是通过在硅上沉积氮化镓制造的，与SiC（碳化硅）功率半导体相比具有价格竞争力。

该协议通过 RF Semi 的封装技术与 GaN Systems 的 GaN 器件技术之间的合作促进了产品开发和全球市场扩张。RF Semi 计划将最近开发并获得专利的“可变堆叠散热器封装”技术应用于战略半导体封装的产品开发。与传统封装相比，该技术具有出色的散热性，即使在高温下也能稳定运行。

RF Semi CEO Lee Jin-hyo 表示：“我们将在 SiC 功率半导体代工厂生产之后，基于 GaN 功率半导体产品的开发开发复杂的模块产品，为公司的发展做出贡献，这是下一个-发电功率半导体。”