Flosfia 将大规模生产氧化镓PMIC
行家说消息 Flosfia 是京都大学的日本子公司，在三菱、电装和日本开发银行的支持下，即将开始大规模生产氧化镓基 PMIC。
该公司表示，他们的氧化镓设备与现有设备相比，可以减少 70% 的功率损耗，并降低10% 的EV功耗。为了增加销售，公司正在寻找日本代工厂量产十万台到 2023 年夏天。到 2030 年， Flosfia可以产生 7.32 亿美元的收入。
这些设备将出售给汽车零部件制造商。氧化镓 (Ga2O3) 有五种不同的相，其 α 相（采用刚玉晶体结构）具有最吸引人的材料特性
哲学
α-Ga2O3 具有 5.3eV 的宽禁带和高击穿场强，可以更好地承受高压应用，使其有可能替代现有的硅和碳化硅 (SiC) 功率半导体。
2008年，京都大学首次展示了-Ga2O3在蓝宝石上的单晶生长。Flosfia 在 2015 年创造了一种 -Ga2O3 肖特基势垒二极管 (SBD)，其导通电阻低至 0.1mcm2。
Flosfia 是一家于 2011 年从京都大学分拆出来的公司，后来发布了采用 TO220 封装的 -Ga2O3 SBD 的工程样品。
