行家说消息  牛津仪器等离子技术公司今天宣布了一种新的制备 SiC 衬底以进行外延的替代方法。SiC 衬底的等离子抛光已被证明是化学机械平面化 (CMP) 的优越且 HVM 兼容的替代方案，同时缓解了与 CMP 相关的重大技术、环境和供应链问题。

Oxford Instruments 的等离子抛光干法蚀刻 (PPDE) 工艺是 CMP 的直接即插即用替代品，可轻松集成到现有工艺流程中。CMP 多年来一直是 SiC 衬底制备的记录工艺，但存在不良的操作问题，整个行业都在努力满足对 SiC 衬底不断增长的需求。由于半毒性浆料副产品，在 SiC 衬底晶圆厂中运行 CMP 对环境造成很大影响，并且该工艺需要大量用水是浪费的。此外，在充满挑战的供应链环境中，抛光垫和特种化学品会带来巨大的消耗品成本。此外，CMP 工艺本质上是不稳定的，因为浆料化学品和抛光垫会被消耗，从而将漂移引入工艺线。 

“有一个引人注目的技术和商业案例来选择等离子表面处理来生产外延就绪的 SiC 衬底。从技Plasma Technology 的战略业务发展总监 Klaas Wisniewski 评论说，他还补充说：“这是一个非常有吸引力的提议，作为一种与当前方法相比的技术，它以更低的成本提供更好的结果，像，并实现了 SiC 器件的环境可持续生产。”

牛津仪器等离子技术公司将于2022 年 9 月 11 日至 16 日在瑞士达沃斯举行的碳化硅及相关材料国际会议 (ICSCRM / ECSCRM) 上正式推出其 PPDE 工艺。在会议技术会议上，他们将展示他们最新的全晶圆外延和设备结果利用他们的专利 PPDE 工艺，从他们的商业代工合作伙伴制造的晶片。还将有机会在活动中亲自发言，讨论在大批量制造工厂中实施 PPDE。在此注册以参加活动并预先安排面对面会议，请联系Brian.Dlugosch@oxinst.com（牛津仪器等离子技术战略生产市场副总裁）。