行家说消息  7 月 12 日，ACM Research宣布推出其新的 CMP 后清洁工具。这是 ACM 的第一个同类工具，用作制造高质量基板的化学机械平面化 (CMP) 工艺之后的清洁步骤。它有用于碳化硅 (SiC) 的 6 英寸和 8 英寸配置，以及用于硅晶片制造的 8 英寸和 12 英寸配置。该工具可提供湿入干出 (WIDO) 和干入干出 (DIDO) 配置，具有 2、4 和 6 腔选项，可实现高达每小时 60 片晶圆 (WPH) 的最大吞吐量.

“全球设备供应链的交货时间继续延长，”ACM 总裁兼首席执行官 David Wang 博士说。“这为 ACM 创造了一个机会，可以利用其在半导体清洁工艺技术方面的丰富经验进入 CMP 后清洁市场，进一步扩大其清洁产品组合。CMP 后清洁工具将使 ACM 能够通过交付我们稳定、可靠且具有成本效益的解决方案以及比平均交货时间短的解决方案来帮助缓解客户面临的短缺。”

在 CMP 步骤之后，需要在低温下使用稀释的化学品进行物理预清洁过程以减少颗粒数量。ACM 的 CMP 后清洁工具有多种配置，包括采用 ACM 的 Smart Megasonix 的先进清洁技术。

新的 WIDO 在线预清洁工具直接连接到现有的 CMP 工具。晶圆被自动转移到两个刷腔中，正面、背面和斜边与化学和冷去离子水 (CDIW) 同时进行处理。然后将晶圆移至两个或四个洁净室，并使用多种化学品和 CDIW 进行处理。氮气（N 2）干燥和旋转完成了该过程，其实现了在37nm或以上的<15个粒子和20-25个大于28nm的粒子的粒子性能，金属污染≤1E+8（原子/cm2）。使用四腔工具时，WIDO 预清洁工具可提供高达 35 WPH 的吞吐量。

新的 DIDO 预清洗工具是一种独立工具，具有四个装载端口，并且比 WIDO 预清洗工具占用空间更小，适用于 CMP 平台具有内置清洗室的客户，这样晶圆从工具中出来是干燥的. 在这种配置中，晶圆通过装载端口手动转移到预清洗工具中，然后进行与 WIDO 预清洗工具中的处理相同的处理。DIDO 预清洁工具有四腔或六腔配置，两个刷子和两个清洁腔或两个刷子和四个清洁腔。DIDO 预清洁工具可实现与 WIDO 预清洁工具相同的金属污染结果，同时在使用六腔工具时提供高达 60 WPH 的吞吐量。

第三种可用配置是 WIDO 离线预清洁工具，适用于工厂占地面积非常宝贵的情况。使用此工具时，湿晶圆从 CMP 工具转移到 DIW 浴槽，然后手动移动到 WIDO 离线预清洁工具，该工具使用相同的清洁工艺，实现相同的颗粒性能和高达 60 WPH 的吞吐量.