行家说第三代半
SiC/GaN产业智库
关注公众号
CITC 和汉高联合开发氮化镓、碳化硅高温芯片连接解决方​​案
三代半快讯 · 2022-07-20
行家说消息  7 月 19 日,芯片集成技术中心(CITC)和汉高今天宣布,这些组织已正式签署协议,合作开发用于射频和电力电子的高热芯片连接解决方​​案。根据合作条款,汉高将提供商业化和开发的无压烧结芯片连接配方,CITC 将提供下一代封装设计中材料的测试和分析。 
中信的高性能热封装程序专注于集成低应力、高可靠性坚固互连解决方案的热机械设计策略和器件封装平台。由于芯片贴装和成型材料通常是射频和功率封装优化运行的限制因素,汉高是该应用领域的理想合作伙伴或创新。
除了在其最先进的研发中心持续开展工作外,汉高还希望通过跨行业、政府和学术界的战略关系加快其半导体封装材料的上市时间。CITC 与领先的功率和射频设备封装公司合作,提供了一个独特的机会来表征和分析汉高的高热芯片贴装配方,作为领先设备设计的推动者。
“汉高的无压烧结芯片粘接材料已经在某些移动应用中得到验证,”该公司半导体封装材料全球市场部负责人 Ramachandran “Ram” Trichur 解释道。“我们希望将这种成功扩展到汽车等其他领域,在这些领域,大型、高功率芯片是常态。我们的无压烧结解决方案是独一无二的,因为它们提供了传统芯片粘接粘合剂的简单、低应力加工性能和非常高的导热能力。CITC 的工作将增强我们的内部项目,允许额外的性能和可靠性验证。”
新的芯片贴装技术有可能替代射频和功率半导体器件中的铅 (Pb),这些器件在铜引线框架上集成了更大的芯片,从而可以引入高工作温度的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 电源模具技术。CITC的许多合作伙伴都在积极整合这些新的芯片结构,使合作项目成为汉高无压烧结平台的绝佳试验场。
CITC 总经理 Jeroen van den Brand 总结道:“在汉高,我们找到了一个材料创新者,它将通过利用最新芯片贴装技术的整体方法来开发功率和射频设备。” “与许多主要的电力设备制造商在欧洲,尤其是在奈梅亨,我们认为这种伙伴关系对于满足这些重要市场领域的当前和未来需求至关重要。”
CITC 和汉高联合开发氮化镓、碳化硅高温芯片连接解决方​​案
往届回顾