行家说消息   7 月 13 日，Transphorm宣布扩大其表面添加了TP65H050G4BS的安装封装产品。新的更高功率表面贴装器件 (SMD) 是采用 TO-263 (D2PAK) 封装的 650V SuperGaN® FET，具有 50 毫欧的典型导通电阻。它标志着 Transphorm 的第七个 SMD，增加了当前适用于中低功率应用的各种 PQFN 器件。

通过 JEDEC 认证的 TP65H050G4BS 为开发通常用于数据中心和广泛工业应用的高功率（单到多千瓦）系统的设计人员和制造商提供了多种优势。它提供了 Transphorm 同类最佳的可靠性、栅极稳健性 (±20 Vmax) 和硅噪声抗扰度阈值 (4V)，以及与 GaN 技术同义的设计简易性和可驱动性。工程师在需要更高功率和表面贴装封装的地方使用更大的 D2PAK，从而实现更好的热性能。PQFN 型封装，同时通过使用单一制造流程提高 PCB 组装效率。

D2PAK 作为分立器件提供，还提供在垂直子卡上，以提高 Transphorm 的TDTTP2500B066B-KIT的功率密度——这是一款2.5 kW 交流至直流无桥图腾柱功率因数校正 (PFC) 评估板。它还可以换入 1.2 kW 同步半桥TDHBG1200DC100-KIT评估板，以驱动数千瓦功率。

“D2PAK 是我们产品组合的重要补充。它将我们的 SMD 的可用性扩展到高功率应用，在此之前，我们通过通孔设备支持这些应用，”Transphorm 全球营销、应用和业务开发高级副总裁 Philip Zuk 说。“这是帮助客户利用我们熟悉的 TO-XXX 封装的 GaN 平台优势的又一步，这些封装消除了设计挑战、简化了系统开发并加快了上市速度。”

Transphorm 是目前唯一一家提供采用标准 TO-XXX 封装的高压 GaN 器件的 GaN 供应商。值得注意的是，鉴于其固有的栅极对损坏的敏感性，这些封装不能与替代的 e-mode GaN 技术一起使用。