Wolfspeed创始人：8寸SiC2024年全面达产
特稿：汉磊SiC产能将175%（.点这里.）。
6月27日，德国媒体Elektroniknet发布了一篇采访Wolfspeed联合创始人John Palmour博士的文章。
报道称，John Palmour从一开始就致力于碳化硅二极管和MOSFET的开发，作为Wolfspeed的CTO，他认为平面栅SiC MOSFET的技术优势远未耗尽。
John Palmour（左）
问：Wolfspeed于 4 月下旬在莫霍克山谷开设了新的8英寸设施，一个8英寸的晶圆上有多少颗SiC MOSFET？
John Palmour：这么说吧，晶圆面积要大得多！面积多出80%到85%。但更重要的是，更大晶圆能够将SiC MOSFET的制造成本降低多达30%。
问：一个假设性的问题：我们会在10年、15年内看到在12英寸晶圆上制造SiC MOSFET的转变吗？
John Palmour：我认为这主要取决于届时SiC MOSFET 的市场规模。如果需求足够大，12英寸晶圆的生产也可能是有利可图的。转向12英寸晶圆，我预计不会有任何重大的技术限制。晶体生长将是时间和金钱的问题。对于设备制造，硅为生产12英寸晶圆的工艺和处理铺平了道路。同样，我认为如果需求情况合适，在10到15年的时间范围内切换到12英寸晶圆可能有助于 SiC MOSFET 的生产。
问：对于当前机器和系统制造商向8英寸晶圆的转换，您有什么经验？目前有多少家生产8英寸SiC的设备制造商？
John Palmour：我们大约与6家设备制造商进行合作。一些企业专门为我们的工艺开发了特殊机器。我想强调的是，我们拥有高度自动化的生产。起初，我们计划逐步为新工厂配备8英寸机器。然而，我们很快就放弃了这一策略，我们为自己能够在如此短的时间内实现高度自动化而感到自豪。鉴于设备的交货时间较长，我们预计工厂最早将在2024年达到全部生产能力，并且我们正在迅速采购工具以在未来几年内为工厂提供充足的产能。
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问：关于工艺技术的问题：贵公司如今的 SiC 晶圆有多厚？
John Palmour：我们开始时8英寸晶圆的厚度为500微米，6英寸晶圆为350微米。这绝对是安全的，还有多种方法可以使晶片更薄。作为全球最大的碳化硅制造商，从晶锭到成品的整个增值过程都在内部进行，我们当然也在考虑这样的解决方案。
问：目前，一些SiC MOSFET制造商正在生产他们的第四代。尽管如此，SiC肯定仍处于优化曲线的起点，您认为还存在哪些可以进一步优化的地方？
John Palmour：如果看第四代的导通电阻，我们距离理论值还有10倍的差距。如果对比我们11年前的第一款SiC MOSFET和我们目前的第四代产品，芯片尺寸缩小了62.5%。
问：在过去的几年里，有很多人说你们也会开发沟槽栅SiC MOSFET，什么时候上市？
John Palmour：我们先看看市场的格局。市场上最大的2家供应商Wolfspeed和意法半导体都是提供平面SiC MOSFET，因为它们有更好的导通电阻，这是关键性能指标。只要我们在导通电阻方面远远领先沟槽SiC MOSFET，我认为没有理由改变这一点。何况我们还将继续改进平面SiC MOSFET。客户不应该关心它是平面MOSFET还是沟槽MOSFET，重要的是特定导通电阻。事实上，我们也不在乎哪种技术路线，我们只关注哪种设计能给客户带来最大的利益。
问：在过去的几十年里，太空旅行一直是一个利基市场，现在有许多私营公司进入太空市场。SiC MOSFET是否已经在太空中使用了？你们提供这样的产品吗？
John Palmour：我们的第一批产品已经在太空中使用了六七年。这些是我们为特定空间项目开发和实施的特殊解决方案。但是，我们还没有决定是否将太空级零件作为一项业务来经营。
问：多年来，中国一直在大力投资碳化硅技术。您预计中国供应商何时会推出650V或1200V SiC MOSFET？
John Palmour：中国已经在这方面制定了自己的战略目标。他们目前提供SiC二极管，最近已经开始提供SiC MOSFET。到目前为止，中国制造商主要使用4英寸晶圆，有几家公司正致力于建设生产SiC MOSFET的垂直集成设施。
问：迄今为止，只有X-Fab提供碳化硅代工服务。您认为SiC领域的代工模式是否可持续？
John Palmour：我认为代工理念非常适合硅CMOS领域，业界已经建立了完善的制造工艺，代工客户可通过电路设计来区分他们的产品。
但是，在功率器件市场中，工艺就是产品，因此很难通过代工厂来区分各自的产品。正因如此，在功率器件市场上，各大公司都在做自己的产品。在功率领域，无论是硅还是碳化硅功率设备，代工厂的使用都非常少。
问：最后，我想问一下关于自Gregg Lowe担任CEO以来，Wolfspeed的演变。您如何评价他推动的变革？
John Palmour：极好的！当我们创立Cree时，我们有六个人。除了我之外，其中一位联合创始人今天仍在公司工作。从我的角度来看，Gregg Lowe完全实现了我一直希望的结果。SiC 走出Cree的阴影，获得更多重视和关注。
2017 年，Wolfspeed差点以8.5亿美元（约57亿人民币）价格出售给英飞凌科技，事后看来，这对 Cree 的股东来说并不是一笔好交易。你看看我们今天的市值！Gregg Lowe 的决定是绝对正确的！
想了解更多关于Wolfspeed的资讯吗？他们的平面栅SiC MOSFET为何备受青睐？他们在相关产品上又有什么新技术？
7月7日，Wolfspeed高级应用工程师胡宗增将出席“新能源趋势下第三代半导体产业化发展论坛”，届时他将发表以《Wolfspeed SiC MOSFET 促进 OBC 和 ESS 的创新和先进设计》为题的演讲，重点介绍OBC 和 ESS，并分享Wolfspeed SiC MOSFET 的产品组合是如何促进OBC 和 ESS的发展的。
此外，欣锐科技、英飞凌、三菱电机、芯干线、纳微、工信部电子5所、百识电子和恒普科技等企业“大咖”也将发布重磅演讲，共同探讨碳化硅在新能源汽车、储能、光伏等领域的最新动态和技术方向。
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