创世界纪录、提高200%....碳化硅又有3项利好技术
散热性对于实现高温碳化硅封装非常重要，最近相关的新材料技术频出，松下将量产200℃的新型焊料（.点这里.），这几天还有3种新的材料技术推出，有望更好地发挥碳化硅的优势。
铜&石墨复合材料
导热率提高2倍
最近，日本企业Akane宣布开发了一种由石墨和铜组成的复合材料，其导热率是铜的两倍以上。他们目标将其应用到混合动力汽车和火车中的碳化硅半导体散热基板上。
据介绍，该复合材料平均导热系数为800W/m*K以上，它以天然石墨为基础，其中片状碳分子层层堆叠，并具有石墨鳞片包裹在铜中的结构，铜含量为12.5%（按体积计）。
Akane表示，铜&石墨复合材料是由他们公司自主开发的“多轴通电烧结机”进行研制的。由于通电加热和加压是从不同方向进行的，因此很容易优化烧结过程中的制造条件。
新型DBC材料
可实现4000次热冲击循环
德国 Kuprion 推出了一种 ActiveCopper烧结材料，该新材料具有极高的导电性，高达 393 W/m*K，并且在低于 250℃ 的温度下很容易直接与 AlN 和其他陶瓷结合。
它可以配制出与各种 CTE 值非常匹配的材料陶瓷基板，非常适合碳化硅和氮化镓 。
其最近的测试结果显示出卓越的可靠性和性能：在空气中（-55℃ 至 +150℃），可经受4000多次热冲击循环，并且没有分层或空洞 (CSAM)，创下 DBC AlN 的世界纪录。
Kuprion 的技术可降低处理温度并显着降低 DBC AlN 制造成本，为新的多芯片功率模块设计和新半导体封装的异构集成开辟了广泛的机会，并大大改善了工作特性。
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无氧铜带出炉
基板性能提升50%
通常碳化硅功率模块的基板是在陶瓷的两面贴附无氧铜板，但通常附铜板会导致基板翘曲，原因之一是两面铜板的厚度不同，因此附铜板的厚度因温度发生变化，导致正反两面的热胀冷缩效果不同，最终使得基板出现翘曲，甚至会导致半导体器件损耗。
6月24日，古河电工宣布，他们正在增加用于功率模块基板的无氧铜带的产能。据介绍，他们利用在引线框架产品中积累的板厚控制技术经验，所开发的“GOFC”铜带能够将板厚波动（对应0.25～2.0mm）降低1/2。
而且该产品为不含杂质的无氧铜，客户加工过程中产生的废料也可回收利用。古河电工表示，2022年下半年，他们的目标是月产量达到50吨，比2020财年翻一番。
更多SiC技术
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7月7日，欣锐科技、意法半导体、英飞凌、Wolfspeed、三菱电机、芯干线、百识电子和恒普科技等企业将出席“新能源趋势下第三代半导体产业化发展论坛”，他们将共同探讨碳化硅和氮化镓在新能源汽车、储能、光伏等领域的最新动态和技术方向。
欣锐科技、英飞凌、Wolfspeed、三菱电机、芯干线、百识电子演讲议题已出炉，意法半导体和恒普科技等企业的演讲议题即将揭晓。
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