行家说消息  6月13日，上交所正式受理了苏州锴威特半导体股份有限公司（简称：锴威特）的科创板上市申请。

招股书显示，锴威特此次IPO拟募资约5.3亿元，投建智能功率半导体研发升级项目、SiC功率器件研发升级项目、功率半导体研发工程中心升级项目，以及用于补充营运资金。

SiC功率器件研发升级项目，拟使用募集资金8727.85万元。锴威特 SiC 功率器件2021 年度、2020 年度、2019 年度分别实现收入 100.50 万元、38.64 万元和 2.35 万元，初步实现了 SiC 功率器件的 市场布局。

据了解，锴威特主要从事功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务,SiC功率器件已小批量出货,具备650V-1700V SiC MOSFET设计能力，产品已覆盖业内主流电压段，利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiCMOSFET稳定的性能和优良的良率控制。