Sensitron 和 EPC 合作推出高功率密度 350 V 氮化镓半桥IPM
行家说消息 5 月 17 日--在设计最新一代 GaN 功率模块时，减小尺寸和降低成本是 Sensitron 的主要关注点。通过用EPC的 350 V、EPC2050 GaN FET替换传统的硅 FET ，Sensitron 能够将其解决方案的尺寸减小 60%，同时还改善了模块已经出色的结壳热传导。
Sensitron 的高功率密度 350 V、20 A GaN 半桥模块SPG025N035P1B ，具有集成栅极驱动器，针对 500 khz 的杂散电感和开关性能进行了优化。该模块的额定电流为 20 A，可用于控制超过 3 kW。
Sensitron 专有的顶部冷却技术用于这种超小型、轻量级的高功率密度封装（1.10" x 0.70" x 0.14"），可实现最佳热性能。SPG025N035P1B 专为商业、工业和航空航天应用而设计。
SPG025N035P1B 模块使用 EPC2050，这是一款额定电压为 350 V 的 GaN FET，最大 RDS(on) 为 80 mΩ，峰值电流功率为 26 A，采用极小的芯片级封装，尺寸仅为 1.95 mm x 1.95 mm。EPC2050 为Sensitron 提供了低开关损耗的高效率解决方案和极小尺寸的高功率密度解决方案。EPC2050 也是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和 LED 照明的理想选择。
基于 GaN 的 350 V 电源模块比硅解决方案小 60%，成本更低（图示：美国商业资讯）
“我们很高兴与 EPC 合作。通过使用超小型 EPC2050 GaN FET，我们可以设计出效率更高的 350 V 半桥模块，其尺寸仅为替代硅解决方案的 1/3，使我们能够捕获非常高密度的应用，”New 总监 Richard Locarni 评论道业务发展，Sensitron。
EPC 的首席执行官 Alex Lidow 补充说：“这个应用是 GaN 带来的真正好处的一个很好的例子。我们与 Sensitron 密切合作，寻找最佳的 GaN FET 来应对其模块功率密度要求的设计挑战。”
