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希荻微投入1300万研发氮化镓快充
三代半快讯 · 2022-04-23
行家说消息  广东希荻微电子股份有限公司2021 年年度报告显示,他们投入1300万元,正在开展高性 能 AC/DC 初级侧芯片研发项目,目标是开发出 AC/DC 初级侧产品,采用氮化镓 (GaN)元器件驱动技术,实 现高功率密度、低 功耗和高 效率,并 满足多种快充协议需求。
希荻微投入1300万研发氮化镓快充
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