行家说Display
行家说三代半
行家说储能
公众号矩阵
行家说显示
行家说三代半
行家说储能
行家说机器人
视频号矩阵
行家说显示频号
行家说三代半频号
行家说储能视频号
首页
资讯
资料
季报
白皮书
活动
极光奖
行家说第三代半
SiC/GaN产业智库
关注公众号
希荻微投入1300万研发氮化镓快充
三代半快讯
·
2022-04-23
行家说消息 广东希荻微电子股份有限公司2021 年年度报告显示,他们投入1300万元,正在开展高性 能 AC/DC 初级侧芯片研发项目,目标是开发出 AC/DC 初级侧产品,采用氮化镓 (GaN)元器件驱动技术,实 现高功率密度、低 功耗和高 效率,并 满足多种快充协议需求。
每日热榜
•
比亚迪:SiC芯片项目已验收,年产能24万片
•
6家SiC企业实现12吋突破!
•
GaN引领机器人革新,6大企业齐推技术落地
•
助力车规功率半导体创新,120+企业齐上阵
•
24亿+243亿+793亿!大众开启全球建厂步伐
•
华为联手北汽!汽车座舱芯片格局将被打破?
•
斯达:SiC收入近3亿,芯片及模块批量装车
•
12英寸SiC加速!今年已有13家企业加快布局
•
近1200万片!2025年SiC衬底&外延市场规模公布
•
重庆、杭州2大IGBT/SiC封测项目将投产
往届回顾
扫码关注公众号