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扬杰科技:1200V SiC JBS进入试验阶段
三代半快讯 · 2022-04-23
行家说消息  扬杰科技2021年年度报告显示,其SiC 芯片、器件研发及产业化建设项目曾获得超过 180万元政府补助。
他们持续在第三代半导体芯片行业大力投入,在SiC、GaN功率器件等产品研发方面加大力度,以 进一步满足公司后续战略发展需求,现已成功开发并向市场推出SiC模块及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列产品,SiC MOS已取得关键性进展,为实现半导体功率器件全系列产品的一站式供应奠定坚实的基础。
其中650V SiC JBS、1700V 超高压体 SiC MPS产品、1200V 80mΩ 平面栅 SiC MOSFET 产品前期研究已完成,进入方案制定阶段;1200V SiC JBS系列产品前期开发已完成,开始进入试验阶段;
扬杰科技:1200V SiC JBS进入试验阶段
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