行家说消息  4月20日，ULVAC宣布开发了使用溅射法的 GaN 外延薄膜形成技术“RaSE 方法”和使用该技术的溅射模块“SEGul”。

ULVAC应用长年培育的溅射技术，开发出新的“RaSE法”，通过溅射法实现了GaN的外延生长。“SEGul”将把这项技术优化为可用于生产线的大直径溅射器件，并将其作为制造GaN器件的新选择。

* RaSE：自由基辅助溅射外延