行家说消息  4 月 14 日，EPC Space LLC 推出了 EPC7019G，这是一款 40V、4mΩ、530A脉冲抗辐射增强型氮化镓 (GaN) 功率晶体管，据称它比最近的成本更低且效率更高的解决方案可比较的抗辐射 (RH) 硅 MOSFET。

EPC7019G 具有大于 1Mrad 的总剂量等级和 85MeV/(mg/cm 2 ) 的 LET（线性能量转移）的 SEE（单事件效应）抗扰度。这些器件采用全新紧凑型密封封装，具有双栅极，占位面积小于 45mm 2。该器件的芯片级版本可从 EPC 获得。

凭借更高的击穿强度、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更好的导热性和更低的导通电阻，基于 GaN 的功率器件的性能明显优于硅基器件，并且能够实现更高的开关频率，从而实现更高的功率密度、更高的效率等该公司指出，用于关键太空任务的紧凑且重量更轻的电路。

受益于这些产品性能的应用包括卫星和太空任务设备的电源、机器人的电机驱动器、仪器仪表和反应轮以及深空探测器。

“EPC7019G 是目前市场上所有封装的抗辐射晶体管中导通电阻最低的，”首席执行官 Bel Lazar 声称。“与替代抗辐射硅解决方案相比，该器件提供了一种关键任务组件，具有卓越的品质因数、显着更小的尺寸和更低的空间和其他高可靠性市场的成本”。

以 500 件为单位，工程模型的定价为每件 212 美元，空间级的定价为每件 315 美元。