行家说消息  4月11日，无锡利普思半导体发布了其E0系列产品。E0 系列是压合式 SiC MOSFET 功率模块，具有业界公认的低电感占位面积。

为了生产高度可靠的 E0 系列 SiC MOSFET 功率模块，利普思使用了高级 Si3N4 AMB 基板，该基板结合了最佳的机械稳健性和出色的散热性能，具有极高的功率密度。与竞争对手不同，E0 模块采用环氧树脂而不是硅树脂，可实现 3 倍甚至更高的功率和热循环特性。

此外，所有 E0 SiC 模块均提供同类最佳的低开关损耗。