增幅185%！3项GaN技术强攻汽车市场
据分析，虽然GaN功率器件在汽车市场的渗透率较低，但未来几年它的复合年增长率将达到185%。
为此，众多氮化镓企业已经在奔赴汽车赛道（.点这里.）。近日，又有3家氮化镓企业瞄准汽车市场，推出了3项新技术。
CGD：
GaN HEMT栅压高达20V
4月6日，Cambridge GaN Devices (CGD)公开介绍了他们的ICeGaN技术，他们首条采用ICeGaN技术的产品线将于2022年上半年发布。
据CGD业务发展副总裁 Andrea Bricconi 介绍，传统的GaN HEMT器件，栅极驱动困难、研发耗时且成本高昂，栅极电压还被限制在6-7V左右。而CGD的结合了Cascode和eMode氮化镓的优势，具有3V阈值电压，并且栅极电压可以扩展到大约20V。
因此他们的GaN器件具有2个优势：
● 易于使用：GaN HEMT 可以轻松连接到驱动器和控制器。
● 节省成本：不需要额外的组件、电压钳位或昂贵的栅极驱动器。
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Bricconi 透露，他们正在牵头GaNext等国际项目，GaNext 项目旨在开发适用于车载充电器 (OBC)、光伏逆变器等领域的氮化镓功率器件，“首批配备 GaN 晶体管的汽车将在2024年至2025年问世，使用GaN可以使OBC的功率密度翻倍。"
CGD估计，到2026年，全球功率 GaN 市场将增长到超过10亿美元，这主要得益于电动汽车和混合动力汽车对更轻、更高效的电源以及更紧凑和更强大的OBC的需求。
Odyssey：
GaN实现700V耐压
3月30日，Odyssey Semiconductor官网宣布，他们成功开发了700V的垂直 GaN 功率场效应晶体管(FET) 技术。
据介绍，Odyssey 700V垂直氮化镓器件，提供了1mOhm/cm2的极低导通电阻。这些器件表现出非常低的栅极泄漏，并且可以在它们“常关”的模式下运行。
Odyssey 首席执行官Rick Brown 说，“Odyssey 有望在2022年为少数客户提供1200 V垂直 GaN FET。”
IVworks、应用材料：
开发1200V GaN
3月30日，IVworks 和应用材料公司签署联合开发协议，宣布共同开发1200 V氮化镓功率半导体材料技术。
他们共同开发的1200V GaN外延片是用于电动汽车充电器的高压外延片。据介绍，他们计划采用8英寸和12英寸晶圆，来增加 GaN HEMT 器件数量。
IVworks透露，他们将使用自产的混合薄膜设备 (MEB) 生产6英寸和8英寸外延片，并通过混合 MEB 设备监测 GaN 薄膜层的厚度，以此来提高产量。
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