行家说消息   4 月 5 日，美国SemiQ公司发布了其第二代碳化硅 1200V 80mΩ 功率 MOSFET 模块，该产品采用行业标准 SOT-227 封装，即带有 1200V 10A 并联二极管的 GCMS080B120S1-E1 ，和不带并联二极管的 GCMX080B120S1-E1。1200V 碳化硅 MOSFET 模块是该公司 SiC MOSFET 产品组合的最新扩展。

SemiQ公司表示，与传统的硅绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比，其碳化硅MOSFET 开关速度更快，损耗更低，通过减小尺寸、重量和冷却要求实现系统级优势。

“SOT-227 封装是目前最好的全隔离功率半导体封装之一，”SemiQ公司总裁兼总经理 Michael Robinson 说。“结合我们的 SiC MOSFET 和 SiC 二极管，这些产品非常适合提高快速充电和逆变器系统的效率”。

此外，SOT-227 中的 40mΩ 和 20mΩ 模块正在开发中。