行家说消息  3月30日，Odyssey Semiconductor官网宣布，他们成功开发了世界上最先进的垂直 GaN 功率场效应晶体管(FET) 技术。该技术还被美国专利商标局所批准，专利名为“垂直场效应晶体管器件及其制造方法”。

基于全球可持续发展趋势的背景下，亟需研发新技术来保证垂直 GaN 的额定电压与高效率，而此次Odyssey的垂直 GaN FET 可以同时满足高额定电压和转换效率，为最苛刻的应用带来突破性的性能。

Odyssey 现已在 700 V 额定电压下验证了其方法，同时还提供了行业领先的效率接近 1mOhm-cm 2的极低导通电阻。这些器件表现出非常低的栅极泄漏，并且可以在它们“关闭”的模式下运行。

公司表示，接下来，他们将在相同架构的 1200 V 或更高额定值的器件下进行技术验证。

Odyssey 首席执行官Rick Brown 说，“这个 700 V 的里程碑验证了我们在行业领先的高效率和极低的导通电阻。Odyssey 有望在 2022 年为少数已经要求工程样品的客户提供 1200 V 垂直 GaN FET。”