行家说消息  IDTechEx最新报告称，LDMOS器件一直是 4G 时代功率放大器的首选技术。问题是一旦我们移动到 4 GHz以上，LDMOS 开始变得低效。效率是电信基础设施的关键因素，因为它直接影响天线的能耗。

随着大部分 5G 基础设施与现有设备一起部署，电信塔的能耗将急剧增加，采用 GaN 等宽带隙半导体是减少这种未来影响的一种方法。GaN 可以提高 10% 或更多的效率。

随着 5G 的持续增长，预计未来十年 GaN 将大量使用，IDTechEx 预测到本世纪末，GaN 需求每年将增长 4 倍。GaN 器件的结温通常高于 175 °C，导致许多玩家考虑使用烧结银。

IDTechEx预计到 2030 年，5G 基础设施中对烧结材料的需求将增长 10 倍。