恩智浦推出5G氮化镓射频功率晶体管
行家说消息 3月29日,NXP宣布推出一系列用于 32T32R 有源天线系统的全新射频功率分立解决方案,采用其最新的专有氮化镓 (GaN) 技术。这个新系列补充了恩智浦现有的 64T64R 无线电分立式 GaN 功率放大器解决方案组合,涵盖 2.3 至 4.0 GHz 的所有蜂窝频段。恩智浦现在为大规模多输入多输出(大规模 MIMO)5G 无线电提供最大的 RF GaN 产品组合。
为什么重要
随着 5G 网络在全球范围内不断扩展,移动网络运营商正在增加 32T32R 无线电,以将其大规模 MIMO 覆盖范围从超密集的城市地区扩大到人口密度较低的城市和郊区。通过组合 32 根天线而不是 64 根天线,可以更经济高效地保持覆盖范围,同时保持大规模 MIMO 带来的高端 5G 体验。
更多细节
NXP 的 32T32R 解决方案在相同封装中提供两倍于其 64T64R 解决方案的功率,从而实现更小、更轻的整体 5G 连接解决方案。这种引脚兼容性使网络运营商能够在频率和功率水平上快速扩展。
“随着 5G 部署在全球范围内不断扩展,网络运营商需要在保持性能的同时扩大其覆盖范围。通过在相同的封装尺寸中提供两倍的功率,恩智浦使射频工程师能够创建更小、更轻、更容易在城市和郊区部署和隐藏的基站。”恩智浦无线电功率大功率解决方案副总裁兼总经理 Jim Norling表示。
新系列 GaN 分立解决方案专为 10 W 平均天线功率而设计,针对 320 W 无线电单元,具有高达 58% 的漏极效率。它包括驱动器和末级晶体管,并利用恩智浦在亚利桑那州的新 GaN 工厂制造的高度线性化 RF GaN 技术。