行家说消息 3 月 28 日，Cambridge GaN Devices (CGD) 宣布推出了 ICeGaN 650 V H1 系列，其中包括四个 650 V 产品，这些产品利用了基于氮化镓的技术的功率。

650 V H1 产品系列支持使用标准 MOSFET 驱动器，无需外部组件进行保护。工程师们将能够在目前使用硅基器件或其他 GaN 解决方案运行的应用中使用 CGD 的 GaN 技术，而 CGD 将进入到 2027 年估计价值超过 500 亿美元的功率半导体市场。

CGD 的专利 ICeGaN（集成电路增强模式 GaN）技术将 Cascode 配置中的易用性优势与单芯片 eMode (normOFF) HEMT 的简单性以及许多集成的智能感应和保护功能相结合。所有这些都嵌入在单个芯片中，与传统硅芯片相比，它可将功率损耗降低多达 50%。该技术在功率和电压方面完全可扩展，以适应未来的发展。

ICeGaN 是基于 GaN 的集成解决方案，具有智能和自我保护机制，可增强晶体管的功能性、多功能性和可靠性。这种 GaN 技术可应用于任何需要电源并在丰富的 650 V 细分市场中运行的系统。最初的应用包括消费电子产品，例如移动充电器、笔记本电脑适配器、游戏和 AIO 计算机，以及一般来说用于消费应用的 SMPS。650 V H1 系列产品组合也是进入照明和服务器电源等领域的第一步。计划进一步扩展到数据中心、光伏逆变器和可再生能源生产的大功率服务器和电信市场，并在未来瞄准 EV/HEV 系统。

CGD 的长期产品战略还得到了多个英国和欧盟资助项目的支持，最新的项目是 ICeData，该项目旨在开发和商业化用于数据中心服务器电源的高效 GaN 基 IC。这一特定项目由英国政府商业、能源和工业战略部 (BEIS) 在能源企业家基金内资助，该基金选择了英国领先的技术，为能源效率和减少二氧化碳排放提供解决方案。