行家说消息  3 月 23 日，牛津仪器等离子技术公司宣布，罗姆半导体的氮化镓器件选择了牛津仪器公司的 PlasmaPro ® 100 Cobra ®原子层蚀刻 (ALE) 系统。该系统将在 Rohm 的工厂中实施，用于开发下一代高效可靠的 GaN 功率器件。Rohm 将与牛津仪器等离子技术公司密切合作，解决 GaN 器件制造中的挑战，这将使 GaN 技术能够彻底改变关键行业。

Rohm最近展示了突破性的 GaN 技术——他们的 GaN HEMT 器件可将开关损耗降低 65%，并具有出色的开关速度特性和散热效率。GaN 的更广泛采用以及该技术可以提供的效率优势受到标准产品电压裕度窄的阻碍，从而导致组件退化和故障。Rohm 的“常关”GaN 器件技术为数据中心、基站、激光雷达技术、无人机和电动汽车应用提供了 3 倍以上的电压裕度，以实现终极可靠性、出色的散热和低功耗。

为了应对预期的高需求，Rohm 对制造平台进行了广泛的评估。Oxford Instruments ALE 技术可提供平滑的低损伤蚀刻工艺，使其成为 Rohm 开发其 GaN 功率器件平台的明确选择。

“我们在日本进行了重要合作，为宽带隙生产客户带来原子级 GaN 和 SiC 沉积和蚀刻技术解决方案。今天的公告是我们业务的重要一步，很高兴在对市场进行了如此广泛的审查之后， Rohm 选择了我们用于 GaN 功率器件的 ALE 平台”，牛津仪器Plasma Technology 的战略业务发展总监 Klaas Wisniewski 补充道：“GaN 在基站和数据中心等关键应用中，该技术在降低功耗方面具有显着优势“随着我们转向更绿色的经济，Rohm 为多个重要市场创造了高质量和强大的设备，我们很高兴看到将使用我们的原子级处理解决方案创建的产品。”