行家说消息   功率器件厂商安建半导体已于近日获1.8亿元B轮融资，募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。

本轮融资由超越摩尔投资领投，弘鼎资本、龙鼎投资、联和资本、君盛投资和金建诚投资跟投。

安建半导体成立于2016年，专注于半导体功率器件的研发、设计和销售，是赋能高端芯片国产化的企业之一。安建半导体的产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，其中已有三条产品线实现量产，分别是低电压的SGT-MOS管（屏蔽栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的SJ-MOS管（超结金属氧化物场效应晶体管）、Field Stop Trench IGBT（场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管），产品均具有高性能高可靠性。