行家说消息  近日，英飞凌宣布在其现有的高压碳化硅 (SiC) MOSFET CoolSic 系列中增加一个650 V 系列。

该产品建立在其先进的SiC 沟槽技术之上。与上一代硅 (Si) 半导体相比，这些 650 V 系列 MOSFET 的反向恢复电荷 (Qrr) 和漏源电荷 (Qoss) 降低了 80%，即使在较高电流下也能实现出色的开关性能。这些降低的开关损耗允许高频、高效操作，从而能够使用更小的滤波组件，并最终提高功率密度。