行家说消息  3月24日，英诺赛科宣布推出一款新的超高密度 140W 电源演示，该演示使用该公司的高电压和低电压 GaN HEMT 器件可实现超过 95% 的效率。

英诺赛科总经理兼美国和欧洲市场经理Denis Marcon 博士解释说：“通过在本设计中将 GaN 开关用于高压和低压功能，我们正在最大限度地提高效率，而不是用有损硅器件。这要归功于 Innoscience 具有成本效益和大批量的制造工艺和能力。”