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ROHM计划量产8V栅极耐压GaN晶体管
三代半快讯 · 2022-03-24
行家说消息  2月23日,罗姆宣布计划量产“GNE1040TB”,该产品为氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT),已将栅极耐压(栅极-源极额定电压)提高到 8V,将用于工业设备和包括基站在内的各种IoT通信设备的电源电路和数据中心。
ROHM计划量产8V栅极耐压GaN晶体管
ROHM计划量产8V栅极耐压GaN晶体管
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