行家说消息  3月20日至24日，无晶圆半导体公司 Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) 在应用电力电子会议 (APEC)上首次亮相，推出其首个能够降低功耗的产品组合损失高达 50%的ICeGaN 650V H1系列产品，包括四款采用 GaN 技术的 650V 产品。

“ICeGaN 650V H1 系列的四种产品可以与栅极驱动器无缝连接，这使得基于 ICeGaN 的 GaN HEMT 易于使用，就像硅 MOSFET。”CGD业务发展副总裁 Andrea Bricconi 说。