Microchip推出业界领先的3.3 kV碳化硅 (SiC) 功率器件
行家说消息 据外媒3月21日报道,Microchip Technology Inc. 今天宣布扩展其 SiC 产品组合,推出业界最低导通电阻 [RDS(on)] 3.3 kV SiC MOSFET 和最高额定电流 SiC SBD,目前已开放购买。
Microchip 分立产品业务部副总裁 Leon Gross 表示:“我们专注于开发,为我们的客户提供快速创新系统的能力,并让他们的最终产品更快地进入竞争优势地位。” “我们新的3.3 kV SiC 功率产品系列使客户能够轻松、快速、自信地转向高压 SiC,并受益于这种令人兴奋的技术相对于基于硅的设计的诸多优势。”