又一家碳化硅企业要走IDM模式
前段时间，II-VI 斥资64亿要打造碳化硅全产业链模式（.点这里.），安森美通过收购GTAT也实现了碳化硅全产业链布局（.点这里.）
最近，东芝也宣布要增加碳化硅外延片生产环节，布局完成后将形成：外延设备+外延片+器件的垂直整合模式。
东芝：
碳化硅业务转向IDM模式
据日媒3月16日报道，东芝宣布将开始在内部生产用于功率半导体的碳化硅外延片。
东芝表示：“利用我们在半导体制造设备技术方面的优势，我们将在 2025 年之前建立一个可以在内部晶圆衬底上形成薄膜的系统。”
他们认为，在汽车电气化的背景下，对SiC功率半导体的需求正在迅速增加，这种转向将有助于提高碳化硅器件质量，以及也有助于稳定原材料采购问题。
目前，东芝是从昭和电工等材料公司购买SiC外延片，然后由姬路半导体工厂完成电极等碳化硅封装工序。
而走IDM模式后，东芝只需采购 SiC衬底，然后在钮富来的SiC外延生长设备，引入单晶薄膜生长工艺即可，这样将极大提高SiC外延片的生产效率与质量。
东芝表示，未来这种垂直整合模式，有利于他们抢占铁路、海上风力发电、数据中心以及车载等市场。
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布局8寸碳化硅器件线
根据“三代半风向”此前报道，2月8日，东芝宣布将投资55亿用于功率器件扩产，其中包括建设8英寸的碳化硅和氮化镓生产线。
据介绍，东芝的姬路半导体工厂正在6寸生产线上生产 SiC 功率半导体，而东芝未来的方针是开发8寸的碳化硅生产线。
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