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Harshad Mehta 博士关于 Ruttonsha和Silicon Power 在印度建碳化硅半导体工厂的计划
三代半快讯 · 2022-03-21
行家说消息  3月21日,Harshad Mehta 博士在接受媒体采访时表示,他们在印度的 SiC 产品计划分为三个阶段。
第 1 阶段:制作 SiC 晶圆。由于晶圆的整个厚度不需要完全纯,则需要从普通的 SiC 晶圆开始,通过外延工艺,在其上沉积纯 SiC 至所需的厚度。这本身就为他们提供了可销售的产品,因为许多公司都想购买这种“准备制造设备”的 SiC 晶圆。据悉,他们在 Halol 的一期工厂已经完成了 90%,预计将在 2022 年 6 月左右全面投入使用。
第 2 阶段:建立可以进行设备制造的工厂,输出将是加工后的晶圆。
第 3 阶段:从处理过的晶圆上切割器件并进行封装。
这是流程发生的顺序,在第 1 阶段之后,他们将重点放在第 3 阶段,并希望在 2022 年 12 月至 2023 年 3 月之间的某个时间准备好该设施。
此外,他们已经在美国拥有一个正在运行的晶圆厂,因此在印度启动并运行第 3 阶段设施将有所帮助在这里做一些包装。
这三个阶段总共需要约 175 到 20 亿印度卢比的投资,其中第 2 阶段是投资较多的阶段,需要约 15 亿卢比,预计于 2024 年下半年启动并运行。
Harshad Mehta 博士关于 Ruttonsha和Silicon Power 在印度建碳化硅半导体工厂的计划
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