行家说消息  3月17日，广州市工业和信息化局印发《广州市半导体与集成电路产业发展行动计划（2022-2024年）》的通知， “布局发展宽禁带半导体”作为重点项目之一。

该项目计划显示，支持碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体衬底、外延、设计及制造全产业链发展，支持龙头企业发展IDM（垂直整合）模式。布局4-6英寸碳化硅衬底片、外延片生产线，加速8英寸项目研发及产业化，建设6-8英寸及以上碳化硅芯片生产线，支持建设硅基/碳化硅基氮化镓功率/射频器件生产线，实现工业级、车规级的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）电力电子器件及面向雷达、基站等应用的射频器件研发和量产。