行家说消息  3月15日，EPC官网发布公告，宣布推出 EPC7019 抗辐射 eGaN FET，这些器件采用芯片级封装，与商用 eGaN FET 和 IC 系列相同。EPC Space将提供打包版本。

该器件的品质因数 (R DS(on) x Q G ) 是替代抗辐射硬硅解决方案的 20 倍，而且尺寸要小 20 倍。凭借更高的击穿强度、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更好的导热性和更低的导通电阻，基于 GaN 的功率器件显着优于基于硅的器件，并且能够实现更高的开关频率，从而带来更高的功率密度、更高的效率等用于关键星载任务的紧凑和重量更轻的电路。最后，GaN 器件支持比硅解决方案更高的总辐射水平和 SEE LET 水平。

EPC7019 可用于工程样品，并将在 2022 年 10 月完全符合批量出货要求。