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近2100万的GaN项目用于提升 DC-DC 转换器设计
三代半快讯 · 2022-03-17
行家说消息 据3月16日外媒报道,一个耗资 250 万英镑(约2100万人民币)的项目旨在提高使用氮化镓器件的 DC-DC 转换器和逆变器的性能和可靠性。
P3EP(用于 PCB 嵌入式电力电子的预封装功率器件)项目旨在为 Cambridge GaN Devices 开发的器件提供完整的端到端供应链。
该项目从预封装的 GaN 芯片开始,通过一个分阶段的计划来开发基于 RAM 的多层嵌入式电源平面方法的紧凑、模块化的封装转换器构建块所需的设计和制造工艺和测试技术。避免使用带有引线键合的传统封装可减少寄生损耗并改善散热,提高可靠性。
近2100万的GaN项目用于提升 DC-DC 转换器设计
近2100万的GaN项目用于提升 DC-DC 转换器设计
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