行家说消息  2月24日，Transphorm 宣布它将在ISPSD研讨会上展示1200 V GaN 器件的领先研发成果，预计将于 2023 年提供样品。

迄今为止，市售的高功率 GaN 晶体管的电压范围通常为 600 至 650 伏，此前Transphorm 也仅提供 900V 的 GaN 器件。 如今即将展示的1200V  FET 的性能有望通过支持苛刻的要求来扩展 Transphorm 的产品组合和最终的市场机会。