行家说消息  2月22日，Ampleon宣布推出两款新的GaN-on-SiC HEMT 晶体管，功率等级分别为 30 W CLF3H0060(S)-30、100 W CLF3H0035(S)-100。这些高线性度器件是其第 3 代 GaN-SiC HEMT 工艺的初始产品，最近通过认证并投入生产。

这些器件在低偏置设置下提供宽带高线性度特性，以提高宽带线性度的性能水平。宽带线性对于当今国防电子设备中部署的频率捷变无线电至关重要，用于处理多模通信波形（从 FM 到高阶 QAM 信号）并同时应用对抗信道。这些要求苛刻的应用需要晶体管本身具有更好的宽带线性度。

根据市场反馈，Ampleon 第 3 代 GaN-on-SiC HEMT 晶体管满足这些扩展的宽带线性度要求。