行家说消息  1月26日，理察森电子有限公司宣布推出 SemiQ 的第二代碳化硅功率开关 1200V 80mΩ SiC MOSFET。

SemiQ设计了两种新的 MOSFET，GP2T080A120U (TO-247-3L) 和GP2T080A120H (TO-247-4L)，以提供传导和开关损耗的最佳平衡。与市场上的其他设备相比，这些新产品为设计人员在更广泛的应用范围内提供了更大的灵活性。

SiC MOSFET 可为电动汽车、电源和数据中心等高性能应用带来高效率，并且经过专门设计和测试，可在极端环境中可靠运行。与传统硅 IGBT 相比，SemiQ 的 MOSFET 开关速度更快，损耗更低，通过减小尺寸、重量和冷却要求实现系统级优势。