II-VI：采用金刚石提升碳化硅器件性能
行家说消息 据外媒eeNews 2月11日报道，II-VI 已从英国Element Six获得单晶金刚石技术的许可，以提高其功率和射频设备的性能。
这将使金刚石层能够作为散热器添加到电源和射频设备中，例如通过在碳化硅晶片的背面生长单晶层。这可以通过改善与 SiC 的热界面来显着提高功率器件的性能。
II-VI 已延长与 GE 的 SiC 技术许可协议，并于去年收购了欧洲 SiC 晶圆供应商 Ascatron 以确保晶圆供应。
II-VI 拥有自己专有的多晶金刚石平台，Element Six将与 II-VI 合作，将单晶金刚石技术整合到 II-VI 生产过程中。
