新研究：C轴碳化硅实现业界最高电子迁移率
行家说消息
作者：Ryoya Ishikawa, Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko 、Tsunenobu Kimoto1
日本京都大学电子科学与工程系
日本大阪大学电气、电子和信息通信工程部
摘要：
研究小组使用碳化硅霍尔棒结构研究了在不同温度和施主浓度下垂直和沿 c 轴的电子迁移率。在C轴上实现了有史以来最高的碳化硅电子迁移率——1160 cm2 V-1s-1。
目前，该研究发表在《应用物理快报》杂志上。
