行家说消息  台湾媒体报道，2021年12月10日，台湾经济部技术处金属中心与雷科股份有限公司、真兴科技有限公司携手合作，签署SiC晶柱激光切割研发联盟合作备忘录」(MOU)。

技术处指出，希望以研究法人精密设备设计开发的能量优势，加上国内厂商激光光路数位光学技术，共同开发碳化矽晶柱激光切割设备，取代传统利用钻石线切割SiC晶锭，切片速度慢且损耗大，及表面平坦度较差的问题，此次产研合作突围国外竞争对手在碳化硅半导体激光切割技术的垄断。

雷科集团总经理黄萌义表示，雷科长期投入开发各项激光切割设备，已经累积激光切割相关技术。本次研发联盟的成立，就是希望国内能掌握激光晶柱切割自主技术，协助台湾抢占化合物半导体庞大商机。

真兴科技创办人邱俊荣指出，真兴在激光光学光路设计拥有独特技术能量，未来与联盟伙伴携手开发激光晶柱切割设备，突破国外激光切割专利壁垒，持续维持台湾在半导体产业的技术领先优势。

金属中心执行长林秋丰则谈到，本联盟案金属中心将投入雷切设备机构与电控设计、晶片研磨以及检测验证技术，协助业者快速将技术实现商品化。而传统线切割技术，因碳化矽高硬度使得线割磨耗大及切割速度慢，未来开发先进激光面切割技术，切割时间可大幅减少约85%，材料耗损减少约70%。由于国际唯二的先进激光切割设备尚未外售，期望藉由此次联盟合作，能成功突破国际大厂筑起之技术壁垒，为台湾半导体抢占上游战略布局先机，以加速化合物半导体的发展。

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