华瑞微融资3亿，将加快SiC MOSFET线建设
行家说消息 “势能资本”官微称，2021年12月17日，华瑞微完成了B轮和B+轮3亿元融资，加上A轮融资，华瑞微合计已融资5亿元。
据介绍，本轮融资将助力华瑞微积极推进功率器件国产化，加大在IGBT、SiC功率器件等方面的研发力度，加快提升产能。
2020年11月，华瑞微曾完成了近2亿元的A轮融资，当时华瑞微董事长刘海波表示，A轮融资将主要用于第三代化合物半导体生产线项目。
据“三代半风向”了解，华瑞微半导体IDM芯片项目于2020年10月落户安徽滁州，总投资30亿元，项目一期总投资10亿元，用于建设SiC MOSFET生产线，预计建成后将形成年产1万片第三代化合物半导体器件的生产能力，完全达产后销售额预计超10亿元。
据了解，华瑞微创建于2018年5月，是一家集功率器件产品研发、生产、销售和服务于一体的高新技术企业。华瑞微布局6英寸晶圆厂的建设，2019年为市场贡献了超过15万片晶圆，2020年超过20万片晶圆。
目前，华瑞微已经研发成功且量产的产品包括高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS、以及SGT MOS等，同时正在开展IGBT和第三代半导体（SiC、GaN）功率器件的研发工作，预计未来产品将实现消费级、工业级、车规级的全面覆盖。
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