行家说消息  2022 年 1 月 10 日，新加坡科学、技术和研究机构 (A*STAR) 微电子研究所 (IME) 和法国Soitec 宣布开展研究合作，以开发为电动汽车提供动力的碳化硅器件和先进的高压电子器件。具体而言，Soitec 的 Smart Cut 和 IME 的试验生产线等专有技术将用于制造8英寸SiC 衬底。

该联合研究旨在为发展整体 SiC 生态系统和提升新加坡及该地区的半导体制造能力做出贡献。研究合作计划持续到 2024 年年中，旨在开发基于 Smart Cut SiC 衬底的 SiC  MOSFET 制造工艺，以在制造过程中生产出具有更少缺陷和提高产量的更高质量的微芯片晶体管。同时为在 Smart Cut SiC 衬底上制造的 SiC MOSFET 器件建立基准，并展示该工艺与传统体衬底的优势。

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