行家说消息  2021年12月1日，Microchip 宣布推出新的 MMIC 和分立晶体管，扩展其氮化镓射频功率器件产品组合，覆盖频率高达20 GHz。这些器件结合了高功率附加效率 (PAE) 和高线性度，可在从 5G 到电子战、卫星通信、商业和国防雷达系统以及测试设备的应用中提供新的性能水平。

与所有 Microchip GaN 射频功率产品一样，这些器件采用碳化硅基 GaN 技术制造，可提供高功率密度和良率的最佳组合，以及高压运行和超过 100 万小时的使用寿命255℃结温。

它们包括覆盖 2-18 GHz、12-20 GHz 和12- 20 GHz的GaN MMIC，具有高达20W 的3dB 压缩点(P3dB)射频输出功率和高达25%的效率，以及裸片和封装的GaN MMIC 放大器（适用于 S 和 X 波段），具有高达60%的 PAE，以及覆盖DC至14 GHz的分立式高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件，具有高达 100W 的 P3dB 射频输出功率和 70% 的最大效率。

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