晶湛：总部大楼奠基
行家说消息 2021年12月2日，晶湛半导体官微显示，其总部大楼开工奠基，预计建成后将成为全球领先的氮化镓外延研发生产基地。
据了解，晶湛半导体是一家GaN外延材料生产商，于2012年3月创办，2年后率先在全球首次发布商用8英寸GaN-on-Si HV HEMT外延片。前不久，晶湛半导体还展示了12英寸、1200V的硅基GaN外延片。
据苏州政府消息，晶湛半导体拟投资2.8亿元扩建氮化镓外延片生产项目，年产能达24万片，2021年11月开始建设。
该项目计划生产6寸和8英寸氮化镓外延片，年产能均为12万片，用于制造微波功率器件和电力电子功率器。
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