韩国将建8寸GaN线，成本可降90%?
韩国将建8寸GaN线，成本可降90%?
10月27日，据“BreakNews”报道，韩国ETRI和AOET两家公司达成合作，将在3C-SiC MOCVD、外延技术和GaN技术等方面进行开发研究。
据介绍，该项目的目标是开发氮化镓功率器件(400V、600V、1200V)和氮化镓RF器件(5G和6G)。
加入氮化镓大佬群，请加VX：hangjiashuo666
据报道，目前在韩国，氮化镓的商业用途仅限于LED 灯、Mini LED 显示屏、qLED电视以及一些低功耗充电和通信领域。
为解决SiC基氮化镓制造成本过高的问题，ETRI和AOET两家公司提出了在硅衬底上形成一层薄而廉价的SiC缓冲层来制作GaN器件的方法。
据介绍，该项目一旦成功，预计将实现8英寸硅晶片生产线的自动化，其生产设备投资不到1/10，生产成本只有传统硅衬底生产设备的1/10。
除了可以生产1200V氮化镓功率器件，该技术将来也可以应用到微型LED显示器领域，尤其是AR方面，有可能在单个硅衬底上生产各种颜色的发光器件，由于其易于开发和生产，预计价格会更便宜。
其他人都在看：
沃尔沃SiC汽车上路！收获众多订单
连续15个月都增长！Wolfspeed“成绩单”公布
沟槽SiC MOS新技术：成本降60%，性能提升600%！
