扩产、扩产！2家SiC/GaN企业又增新项目
扩产、扩产！2家SiC/GaN企业又增新项目
据《无锡日报》报道，10月7日，有19个集成电路重大项目落户无锡，总投资达303.4亿元，其中包括基本半导体和晶湛半导体的2个第三代半导体项目。
基本半导体：
总部项目签约
据介绍，基本半导体签约建设车规级第三代半导体研发制造总部项目。
“三代半风向”此前报道提到，该项目正在建设当中，预计2021年底通线，2022年中进入量产（.点这里.）。
除了该项目外，基本半导体还有3个产线建设正在开展：
▲南京浦口制造基地已于2020年3月开工建设，预计2021年底通线，主要进行碳化硅外延片的工艺研发和制造；
▲北京亦庄共建的6英寸碳化硅晶圆产线将于今年第四季度实现量产；
▲深圳坪山第三代半导体产业基地已于2020年底开工建设，预计2023年投产，年产能将达200万只碳化硅器件。
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晶湛半导体：
氮化镓外延项目落户
同时，晶湛半导体的氮化镓外延材料研发和产业化项目也签约落户无锡。具体项目信息尚待公布。
除了该项目外，2021年3月，苏州工业园区还公示了“晶湛半导体的新建氮化镓外延片生产扩建项目环评文件”。该项目拟投资2.5亿元，建成后年产氮化镓外延片产品50万片。
据晶湛官网，2014年底，晶湛率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品。截至目前，晶湛已完成A+轮融资，用于扩大生产规模，150mm的 GaN-on-Si 外延片的月产能达1万片。目前，晶湛已拥有全球超过150家的着名半导体公司、研究院所客户。
而前不久，晶湛半导体还展示了12英寸、1200V的硅基GaN外延片，为采用主流的12英寸CMOS生产线制造GaN HEMT晶体管铺平了道路（.点这里.）。
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